非共识洞察

封装基板

原材料3 分钟阅读

别名:I、C、载、板、,、 、S、u、b、s、t、r、a、e、IC载板、IC Substrate、封装基板

承载IC芯片的刚性基板,介于芯片和PCB之间。

封装基板(IC载板)

承载IC芯片的刚性基板,介于芯片和PCB之间。

[!NOTE] 封装基板IC载板是同一概念的不同叫法,行业混用。

核心作用

  • 芯片与PCB之间的电气桥梁
  • 提供芯片支撑保护
  • 实现芯片到PCB的再布线层(RDL)
  • 热膨胀系数匹配(硅→载板→PCB)

AI产业刚需性

封装形式 封装基板的作用
Chiplet先进封装 ABF载板实现芯片间高速互联(如AMD MI300X)
HBM堆叠封装 硅中介层或载板键合,负责RDL和凸块
Flip Chip BGA 倒装封装,承载数万引脚

核心逻辑:算力竞争=封装能力竞争,先进封装载板已成AI芯片产能瓶颈

先进封装与封装基板

[先进封装](/wiki/advanced-packaging/)
  ├── [2.5D封装](/wiki/2-5d-packaging/):硅中介层 → 载板承托中介层
  └── [3D封装](/wiki/3d-packaging/):HBM堆叠 → 载板提供电源/信号RDL

2.5D/3D封装 → 载板层数增加(6-16层→16-32层)
  → [ABF](/wiki/abf/)([味之素](/wiki/ajinomoto/))消耗量增加
  → [低膨胀](/wiki/low-cte/)、低介电损耗要求更高

AI驱动的高端化

趋势 对封装基板要求
Chiplet ABF载板大面积化(80×80mm→100×100mm)
2.5D/3D封装 载板层数增加(16→32层)
HBM带宽提升 RDL线宽/线距从10μm→2μm
AI芯片功耗增加 载板散热设计(埋铜块、热界面材料)

关键材料:ABF

封装基板的核心材料是ABF(味之素堆积膜),由味之素公司发明。

层级关系

[覆铜板](/wiki/copper-clad-laminate/)(高端CCL)
  └── 封装基板(IC载板)
        ├── Flip Chip BGA
        ├── [Chiplet](/wiki/chiplet/)载板
        ├── 硅中介层(2.5D封装)
        └── 埋入式被动元件载板
              └── AI芯片封装

供需格局

全球主要供应商:Unimicron、Ibiden、Semco、Shinko、AT&S

中国:深南电路(封装基板龙头)、兴森快捷、华进半导体

瓶颈:ABF膜供应紧张,高端载板产能扩张周期长(2-3年)

关键问答

封装基板 与「- 热膨胀系数匹配(硅」的关系是什么?
- 热膨胀系数匹配(硅 → 载板→PCB)。
封装基板 与「── [2.5D封装](」的关系是什么?
── [2.5D封装](/wiki/2-5d-packaging/):硅中介层 → 载板承托中介层。

玻璃基板

以玻璃(通常是低CTE无碱玻璃)作为核心介质的下一代封装基板,被视为ABF有机载板的潜在替代方案。

原材料别名:G、l

低介电损耗

材料在高频电场中能量损耗程度的指标,是AI高速信号材料的关键参数。

原材料别名:L、o

低膨胀

材料热膨胀系数(CTE)低的特性,对AI芯片封装可靠性至关重要。

原材料别名:L、o

电子级玻璃纤维布

覆铜板(CCL)的骨架增强材料,由玻璃纤维纱编织而成。

原材料别名:E、-

覆铜板

覆铜板是制造PCB的基础材料,由铜箔和绝缘层压合而成。

原材料别名:C、L

硅片

**硅片** 是**半导体集成电路与功率器件制造的基础材料**,由高纯度单晶硅棒(多晶硅提纯 → 单晶生长 → 切片 → 研磨 → 抛光 → 清洗)加工而成,是几乎所有芯片(逻辑/存储/功率/模拟/传感器)的物理载体。硅片按尺寸分 **6 寸(150mm)/ 8 寸(200mm)/ 12 寸(300mm)**,按类…

原材料别名:硅片、半导体硅片

环氧树脂

覆铜板(CCL)与粘结片(PP)使用**最广泛、最经济**的热固性树脂体系,是FR-4与绝大多数PCB基材的树脂基础。占全球CCL树脂用量80%+。

原材料别名:环、氧

铜箔

覆铜板(CCL)的导电层,由电解或压延方式生产。

原材料别名:C、o