非共识洞察

铜箔

原材料3 分钟阅读

别名:C、o、p、e、r、 、F、i、l、铜箔

覆铜板(CCL)的导电层,由电解或压延方式生产。

铜箔(Copper Foil)

覆铜板(CCL)的导电层,由电解或压延方式生产。

生产工艺

工艺 方式 特点
电解铜箔(ED Copper) 硫酸铜溶液电解沉积 成本低,主流应用
压延铜箔(RA Copper) 物理压延 延展性好,薄而均匀

在覆铜板中的位置

覆铜板(CCL)结构:
┌─────────────────────────┐
│  铜箔(Copper Foil)     │  ← 本词条
├─────────────────────────┤
│  树脂层                  │
├─────────────────────────┤
│  [电子级玻璃纤维布](/wiki/electronic-gradeglass-fabric/)     │  ← 增强骨架
├─────────────────────────┤
│  树脂层                  │
├─────────────────────────┤
│  铜箔                    │
└─────────────────────────┘
         ↓ 多层叠加
     [覆铜板](/wiki/copper-clad-laminate/) → [PCB](/wiki/pcb/)

AI服务器对铜箔的特殊要求

1. 低粗糙度(Low Profile)

类型 粗糙度(Rz) 应用
STD(标准铜箔) 3-5 μm 普通PCB
VLP(Very Low Profile) <2 μm 高速板
HVLP(Hyper-VLP) <1 μm AI服务器112G+ SerDes

原因:高频信号趋肤效应——趋肤深度 δ 与表面粗糙度 Rz 处于同一量级,粗糙表面导致信号路径拉长、衰减剧增和插入损耗。112G SerDes在28 GHz时δ~0.4 μm,已小于HVLP铜箔粗糙度,需eHVLP/镀层铜。

2. 高温延展性

AI服务器散热需求:铜箔需耐多次热循环(无铅焊接260°C回流焊)

铜箔在PCB中的演进

AI服务器高速信号需求:
  └── 传统铜箔(STD)→ 粗糙度大 → 插入损耗大
        └── VLP铜箔(3-4μm→<2μm)→ 减少插入损耗
              └── HVLP铜箔(<1μm)→ 224G SerDes刚需

产业链

铜矿/废铜
  └── 铜箔厂商
        ├── 建滔铜箔
        ├── 南亚铜箔
        ├── 长春铜箔
        └── 三井铜箔(日本)
              └── [覆铜板](/wiki/copper-clad-laminate/)厂商
                    └── [PCB](/wiki/pcb/)厂商
                          └── [18层以上多层板](/wiki/18-layer-multilayer-pcb/) / [HDI板](/wiki/hdi-board/)
                                └── [AI服务器](/wiki/ai-server/)

核心关系

关键问答

铜箔 与「- [铜箔](」的关系是什么?
- [铜箔](/wiki/copper-foil/) + [环氧树脂](/wiki/epoxy-resin/) + [电子级玻璃纤维布](/wiki/electronic-gradeglass-fabric/) → [覆铜板](/wiki/copper-clad-laminate/)(CCL基础)。
铜箔 与「- [铜箔](」的关系是什么?
- [铜箔](/wiki/copper-foil/) + [PPO](/wiki/ppo/)/[PPE](/wiki/ppe/)/[MPI](/wiki/mpi/) + [NE-Glass](/wiki/ne-glass/) → 高速[覆铜板](/wiki/copper-clad-laminate/)(M9级)。
铜箔 与「- **HVLP铜箔**」的关系是什么?
- **HVLP铜箔** → [低介电损耗](/wiki/low-dielectric-loss/) → AI高速信号。
铜箔 与「- **铜箔粗糙度**」的关系是什么?
- **铜箔粗糙度** → 受[趋肤效应](/wiki/skin-effect/)驱动 → [18层以上多层板](/wiki/18-layer-multilayer-pcb/)信号完整性。
铜箔 与「- **铜箔**」的关系是什么?
- **铜箔** → [HVDC](/wiki/hvdc/)配电母线(大量使用)。

玻璃基板

以玻璃(通常是低CTE无碱玻璃)作为核心介质的下一代封装基板,被视为ABF有机载板的潜在替代方案。

原材料别名:G、l

低介电损耗

材料在高频电场中能量损耗程度的指标,是AI高速信号材料的关键参数。

原材料别名:L、o

低膨胀

材料热膨胀系数(CTE)低的特性,对AI芯片封装可靠性至关重要。

原材料别名:L、o

电子级玻璃纤维布

覆铜板(CCL)的骨架增强材料,由玻璃纤维纱编织而成。

原材料别名:E、-

封装基板

承载IC芯片的刚性基板,介于芯片和PCB之间。

原材料别名:I、C

覆铜板

覆铜板是制造PCB的基础材料,由铜箔和绝缘层压合而成。

原材料别名:C、L

硅片

**硅片** 是**半导体集成电路与功率器件制造的基础材料**,由高纯度单晶硅棒(多晶硅提纯 → 单晶生长 → 切片 → 研磨 → 抛光 → 清洗)加工而成,是几乎所有芯片(逻辑/存储/功率/模拟/传感器)的物理载体。硅片按尺寸分 **6 寸(150mm)/ 8 寸(200mm)/ 12 寸(300mm)**,按类…

原材料别名:硅片、半导体硅片

环氧树脂

覆铜板(CCL)与粘结片(PP)使用**最广泛、最经济**的热固性树脂体系,是FR-4与绝大多数PCB基材的树脂基础。占全球CCL树脂用量80%+。

原材料别名:环、氧