低介电损耗

2026-08-17属原材料层3 分钟阅读

别名：L、o、w、、D、i、e、l、c、t、r、s、,、k、/、f、Low Dk、Low Loss

材料在高频电场中能量损耗程度的指标，是AI高速信号材料的关键参数。

低介电损耗（Low Dielectric Loss）

材料在高频电场中能量损耗程度的指标，是AI高速信号材料的关键参数。

定义

参数	全称	含义
Dk	Dielectric Constant（介电常数）	储存电能的能力，影响信号传播速度
Df	Dissipation Factor（损耗因子）	能量损耗程度，低介电损耗 = Df小

[!NOTE] "低介电损耗"主要指 Df（损耗因子）低，Dk也低时称"低介电常数+低损耗"

为什么AI需要低介电损耗

AI服务器：112G [SerDes](/wiki/serdes/) / 224G [SerDes](/wiki/serdes/)
  └── 信号频率高（56GHz/112GHz频谱）
        └── [Df](/wiki/df/)高 → 信号衰减大 → 误码率上升
              └── 必须用低介电损耗材料

低介电损耗材料体系

材料	Dk	Df	应用场景
普通环氧树脂	4.0	0.02-0.04	普通PCB
PPO/PPE树脂	3.5	0.005-0.01	高速板
MPI（改性PI）	3.0-3.5	0.004-0.008	高速CCL/软板
NE-Glass（无硼E-Glass）	4.4	0.001-0.005	AI 224G SerDes增强
PTFE纤维布	2.1	0.0008-0.0015	航天/毫米波TR
PTFE（铁氟龙）	2.1	0.002	毫米波/射频
低损耗E-Glass	4.4	0.001	高频CCL增强材料
MEGTRON7/8（M7/M8）	3.3	0.002	AI服务器高速背板

覆铜板的低介电损耗化

普通覆铜板 → 低介电损耗覆铜板：

改进路径：
  ├── 树脂改性：[环氧树脂](/wiki/epoxy-resin/) → [PPO](/wiki/ppo/)/[PPE](/wiki/ppe/) → [MPI](/wiki/mpi/) → LCP
  ├── 增强材料：普通E-Glass → 低损耗E-Glass → [NE-Glass](/wiki/ne-glass/) / [PTFE纤维布](/wiki/ptfe-fiber-fabric/)
  └── 铜箔处理：RTF铜箔 → VLP铜箔 → HVLP铜箔（受[趋肤效应](/wiki/skin-effect/)驱动）

↓

[电子级玻璃纤维布](/wiki/electronic-gradeglass-fabric/)（低损耗E-Glass / [NE-Glass](/wiki/ne-glass/)）
  + [铜箔](/wiki/copper-foil/)（VLP/HVLP铜箔，受[趋肤效应](/wiki/skin-effect/)驱动）
  + 低损耗树脂
    → [覆铜板](/wiki/copper-clad-laminate/)（高速低损耗CCL）
      → [18层以上多层板](/wiki/18-layer-multilayer-pcb/)（AI服务器高速背板）
        → [AI服务器](/wiki/ai-server/)112G SerDes

核心关系

低介电损耗 → 电子级玻璃纤维布改进方向
低介电损耗 → 铜箔低粗糙度化（HVLP）
低介电损耗覆铜板 → 18层以上多层板 → AI服务器（112G/224G SerDes）
MEGTRON7/8 → 松下电工低损耗高速材料标杆，PPO/MPI系树脂

关键问答

低介电损耗与「- **低介电损耗**」的关系是什么？

- **低介电损耗** → [电子级玻璃纤维布](/wiki/electronic-gradeglass-fabric/)改进方向。

低介电损耗与「- **低介电损耗**」的关系是什么？

- **低介电损耗** → [铜箔](/wiki/copper-foil/)低粗糙度化（HVLP）。

低介电损耗与「- **低介电损耗覆铜板**」的关系是什么？

- **低介电损耗覆铜板** → [18层以上多层板](/wiki/18-layer-multilayer-pcb/) → [AI服务器](/wiki/ai-server/)（112G/224G [SerDes](/wiki/serdes/)）。

低介电损耗与「- **MEGTRON7」的关系是什么？

- **MEGTRON7/8** → 松下电工低损耗高速材料标杆，[PPO](/wiki/ppo/)/[MPI](/wiki/mpi/)系树脂。

玻璃基板

以玻璃（通常是低CTE无碱玻璃）作为核心介质的下一代封装基板，被视为ABF有机载板的潜在替代方案。

原材料别名：G、l

低膨胀

材料热膨胀系数（CTE）低的特性，对AI芯片封装可靠性至关重要。

原材料别名：L、o

电子级玻璃纤维布

覆铜板（CCL）的骨架增强材料，由玻璃纤维纱编织而成。

原材料别名：E、-

封装基板

承载IC芯片的刚性基板，介于芯片和PCB之间。

原材料别名：I、C

覆铜板

覆铜板是制造PCB的基础材料，由铜箔和绝缘层压合而成。

原材料别名：C、L

硅片

**硅片** 是**半导体集成电路与功率器件制造的基础材料**，由高纯度单晶硅棒（多晶硅提纯 → 单晶生长 → 切片 → 研磨 → 抛光 → 清洗）加工而成，是几乎所有芯片（逻辑/存储/功率/模拟/传感器）的物理载体。硅片按尺寸分 **6 寸（150mm）/ 8 寸（200mm）/ 12 寸（300mm）**，按类…

原材料别名：硅片、半导体硅片

环氧树脂

覆铜板（CCL）与粘结片（PP）使用**最广泛、最经济**的热固性树脂体系，是FR-4与绝大多数PCB基材的树脂基础。占全球CCL树脂用量80%+。

原材料别名：环、氧

铜箔

覆铜板（CCL）的导电层，由电解或压延方式生产。

原材料别名：C、o

关键问答

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