2.5D封装

在芯片与封装基板之间加入硅中介层（Silicon Interposer）实现高密度互连的封装技术。

核心结构

芯片（GPU / CPU / ASIC）
  └── 微凸块（μbump）
        └── 硅中介层（Silicon Interposer）
              └── 再布线层（RDL）
                    └── [封装基板](/wiki/package-substrate/)（ABF载板）
                          └── [PCB](/wiki/pcb/)

硅中介层特点：
  ├── 线宽/线距：<1μm（vs 传统封装10μm+）
  ├── 支持数万引脚互联
  └── 芯片间距离：μm级

典型应用：HBM与GPU互联

AI GPU封装（NVIDIA H100 / AMD MI300X）：
  GPU Die
    └── 硅中介层
          ├── HBM3内存（通过μbump连接中介层）
          └── 电源/控制信号布线

优势：
  ├── HBM与GPU距离极短（<1mm vs 传统~10mm）
  ├── 带宽：HBM3 5.2TB/s（硅中介层支撑）
  └── 功耗：互连短→负载电容小

制造工艺

步骤	说明
1. 准备硅中介层	硅晶圆上制作RDL和TSV
2. 芯片键合	GPU/HBM通过μbump与中介层互联
3. 整体倒装	中介层+BGA与载板互联
4. 封装测试	良率控制挑战大

主要技术路线

方案	厂商	名称
硅中介层	台积电	CoWoS-S
硅桥接	台积电	CoWoS-R
嵌入硅桥	三星	I-Cube
有机中介层	日月光	FoCoS

与Chiplet的关系

[Chiplet](/wiki/chiplet/)需要高密度互联
  └── 2.5D封装是Chiplet主流方案之一

AMD MI300X架构：
  ├── 3个GPU Die + 3个CPU Die
  ├── 通过2.5D硅中介层互联
  └── HBM3内存通过同一中介层堆叠

未来Chiplet：
  └── 计算Die + 存储Die + 模拟Die
        └── 通过2.5D/3D封装整合

产业链关系

[封装基板](/wiki/package-substrate/)（ABF载板）
  └── 2.5D封装载体
        ├── 台积电（CoWoS）→ AI芯片
        │     ├── NVIDIA H100/H200
        │     └── AMD MI300X
        ├── 三星（I-Cube）→ AI芯片
        └── 日月光（FoCoS）→ 成本方案

2.5D封装需求爆发 → ABF载板需求↑→ [味之素](/wiki/ajinomoto/)ABF供应紧张

核心关系

• 2.5D封装 → 硅中介层 → 封装基板
• 2.5D封装 → HBM与GPU互联
• 2.5D封装 → Chiplet实现路径
• 2.5D封装 → ABF载板需求（载板层数增加）
• 2.5D封装 → 低介电损耗材料（中介层本身是硅）
• 2.5D封装 → 低膨胀要求（硅CTE匹配）