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Tg

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别名:T、g、,、 、玻、璃、化、转、变、温、度、G、l、a、s、r、n、i、t、o、e、m、p、u、玻璃化温度、Glass Transition Temperature

覆铜板(CCL)与粘结片(PP)中树脂体系从**硬态玻璃态**转变为**橡胶态**的临界温度,是衡量耐热性、尺寸稳定性、可靠性的核心参数。

Tg(玻璃化温度,Glass Transition Temperature)

覆铜板(CCL)与粘结片(PP)中树脂体系从硬态玻璃态转变为橡胶态的临界温度,是衡量耐热性、尺寸稳定性、可靠性的核心参数。

物理含义

树脂状态随温度变化:

  玻璃态(硬)──→ 橡胶态(软)──→ 分解/碳化
       ↑              ↑
      Tg            热分解温度
   硬→软转变
   尺寸、模量、Dk/Df突变
  • Tg以下:树脂呈玻璃态,模量高、CTE低、尺寸稳定
  • Tg以上:树脂呈橡胶态,CTE急剧上升、Z轴膨胀、力学性能崩塌
  • Tg附近:介电性能(Dk/Df)发生非线性变化,影响高频信号完整性

Tg分级(PCB行业惯例)

等级 Tg范围 典型应用
标准Tg 130-140°C 消费电子、家电
中Tg 145-155°C 工业控制、汽车
高Tg 170-180°C 无铅焊接、汽车、AI服务器
很高Tg 200°C+ 高速CCL、封装基板、航天

[!NOTE] 行业对"高Tg"通常指 Tg≥170°C,能通过无铅回流焊峰值温度(~245°C)的安全裕度。

为何AI需要高Tg

[AI服务器](/wiki/ai-server/)主板
  └── 无铅回流焊(~245°C,多次回流)
        └── 树脂受热循环
              └── Tg不足 → Z-CTE剧增
                    └── 盲孔/埋孔镀层断裂
                          └── 开路/失效
                                └── 高Tg(≥170°C)= 必备门槛

除回流焊外:

  • 多次热循环:AI服务器高频开关、温度循环
  • 电镀/焊接工艺:HASL、OSP、ENIG工艺温度
  • 长期可靠性:Z轴CTE 50→30 ppm/°C(Tg从130→170°C)

不同树脂体系的Tg

树脂体系 Tg典型值 Df(1GHz) 用途
标准环氧(Dicy) 130-140°C 0.020-0.025 标准FR-4
高Tg环氧 150-170°C 0.015-0.020 无铅FR-4
很高Tg环氧 170-185°C 0.012-0.018 AI服务器主板
改性环氧(MPI型) 180-220°C 0.005-0.010 高速板
PPO/PPE 180-220°C 0.005-0.010 高速板、M9级
BT树脂 180-220°C 0.008-0.012 封装基板
PI(聚酰亚胺) 260°C+ 0.005 军工/航天
PTFE 不适用(结晶态) 0.0009 毫米波/射频

测量方法

方法 标准 特点
DSC(差示扫描量热) IPC-TM-650 2.4.25 常用,快速
DMA(动态机械分析) IPC-TM-650 2.4.24 更敏感,反映力学转变
TMA(热机械分析) IPC-TM-650 2.4.24 直接反映Z-CTE突变点
介电分析(DEA) - 与Dk/Df变化点对应

三种方法测得的Tg值不一定完全一致,规格书通常标注测量方法。

Tg与Z-CTE的关系

Tg Z-CTE(<Tg) Z-CTE(>Tg) 倍数
130°C 50 ppm/°C 250+ ppm/°C ~5×
150°C 45 ppm/°C 200 ppm/°C ~4.4×
170°C 40 ppm/°C 150 ppm/°C ~3.7×
200°C 30 ppm/°C 90 ppm/°C ~3×

Tg越高,>Tg区间的Z-CTE膨胀越受控,对HDI板的盲孔可靠性越友好。

在材料选型中的位置

CCL/PP材料选型决策树:

  成本预算?
    ├── 紧 → 标准Tg环氧FR-4
    ├── 中 → 高Tg环氧FR-4(无铅合规)
    └── 高 → 改性树脂([PPO](/wiki/ppo/) / [MPI](/wiki/mpi/) / BT / PI)
              └── 同步考虑:[低介电损耗](/wiki/low-dielectric-loss/)(Df)+ [低膨胀](/wiki/low-cte/)(CTE)

高Tg ≠ 高性能:高Tg是耐热门槛,不等于低Df。AI高端CCL需高Tg + 低Df + 低CTE三高并举。

核心关系

关键问答

Tg 与「- 高Tg树脂」的关系是什么?
- 高Tg树脂 → 主流选项:[PPO](/wiki/ppo/) / [MPI](/wiki/mpi/) / BT / PI。
Tg 与「- 高Tg + 低Df」的关系是什么?
- 高Tg + 低Df → [低介电损耗](/wiki/low-dielectric-loss/) [覆铜板](/wiki/copper-clad-laminate/) → [AI服务器](/wiki/ai-server/) / [18层以上多层板](/wiki/18-layer-multilayer-pcb/)。
Tg 与「- Tg↑」的关系是什么?
- Tg↑ → Z-CTE↓ → 通孔/盲孔可靠性↑ → [HDI板](/wiki/hdi-board/) / [封装基板](/wiki/package-substrate/)良率↑。

玻璃基板

以玻璃(通常是低CTE无碱玻璃)作为核心介质的下一代封装基板,被视为ABF有机载板的潜在替代方案。

原材料别名:G、l

低介电损耗

材料在高频电场中能量损耗程度的指标,是AI高速信号材料的关键参数。

原材料别名:L、o

低膨胀

材料热膨胀系数(CTE)低的特性,对AI芯片封装可靠性至关重要。

原材料别名:L、o

电子级玻璃纤维布

覆铜板(CCL)的骨架增强材料,由玻璃纤维纱编织而成。

原材料别名:E、-

封装基板

承载IC芯片的刚性基板,介于芯片和PCB之间。

原材料别名:I、C

覆铜板

覆铜板是制造PCB的基础材料,由铜箔和绝缘层压合而成。

原材料别名:C、L

硅片

**硅片** 是**半导体集成电路与功率器件制造的基础材料**,由高纯度单晶硅棒(多晶硅提纯 → 单晶生长 → 切片 → 研磨 → 抛光 → 清洗)加工而成,是几乎所有芯片(逻辑/存储/功率/模拟/传感器)的物理载体。硅片按尺寸分 **6 寸(150mm)/ 8 寸(200mm)/ 12 寸(300mm)**,按类…

原材料别名:硅片、半导体硅片

环氧树脂

覆铜板(CCL)与粘结片(PP)使用**最广泛、最经济**的热固性树脂体系,是FR-4与绝大多数PCB基材的树脂基础。占全球CCL树脂用量80%+。

原材料别名:环、氧