Tg
别名:T、g、,、 、玻、璃、化、转、变、温、度、G、l、a、s、r、n、i、t、o、e、m、p、u、玻璃化温度、Glass Transition Temperature
覆铜板(CCL)与粘结片(PP)中树脂体系从**硬态玻璃态**转变为**橡胶态**的临界温度,是衡量耐热性、尺寸稳定性、可靠性的核心参数。
Tg(玻璃化温度,Glass Transition Temperature)
覆铜板(CCL)与粘结片(PP)中树脂体系从硬态玻璃态转变为橡胶态的临界温度,是衡量耐热性、尺寸稳定性、可靠性的核心参数。
物理含义
树脂状态随温度变化:
玻璃态(硬)──→ 橡胶态(软)──→ 分解/碳化
↑ ↑
Tg 热分解温度
硬→软转变
尺寸、模量、Dk/Df突变
- Tg以下:树脂呈玻璃态,模量高、CTE低、尺寸稳定
- Tg以上:树脂呈橡胶态,CTE急剧上升、Z轴膨胀、力学性能崩塌
- Tg附近:介电性能(Dk/Df)发生非线性变化,影响高频信号完整性
Tg分级(PCB行业惯例)
| 等级 | Tg范围 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 标准Tg | 130-140°C | 消费电子、家电 |
| 中Tg | 145-155°C | 工业控制、汽车 |
| 高Tg | 170-180°C | 无铅焊接、汽车、AI服务器 |
| 很高Tg | 200°C+ | 高速CCL、封装基板、航天 |
[!NOTE] 行业对"高Tg"通常指 Tg≥170°C,能通过无铅回流焊峰值温度(~245°C)的安全裕度。
为何AI需要高Tg
[AI服务器](/wiki/ai-server/)主板
└── 无铅回流焊(~245°C,多次回流)
└── 树脂受热循环
└── Tg不足 → Z-CTE剧增
└── 盲孔/埋孔镀层断裂
└── 开路/失效
└── 高Tg(≥170°C)= 必备门槛
除回流焊外:
- 多次热循环:AI服务器高频开关、温度循环
- 电镀/焊接工艺:HASL、OSP、ENIG工艺温度
- 长期可靠性:Z轴CTE 50→30 ppm/°C(Tg从130→170°C)
不同树脂体系的Tg
| 树脂体系 | Tg典型值 | Df(1GHz) | 用途 |
|---|---|---|---|
| 标准环氧(Dicy) | 130-140°C | 0.020-0.025 | 标准FR-4 |
| 高Tg环氧 | 150-170°C | 0.015-0.020 | 无铅FR-4 |
| 很高Tg环氧 | 170-185°C | 0.012-0.018 | AI服务器主板 |
| 改性环氧(MPI型) | 180-220°C | 0.005-0.010 | 高速板 |
| PPO/PPE | 180-220°C | 0.005-0.010 | 高速板、M9级 |
| BT树脂 | 180-220°C | 0.008-0.012 | 封装基板 |
| PI(聚酰亚胺) | 260°C+ | 0.005 | 军工/航天 |
| PTFE | 不适用(结晶态) | 0.0009 | 毫米波/射频 |
测量方法
| 方法 | 标准 | 特点 |
|---|---|---|
| DSC(差示扫描量热) | IPC-TM-650 2.4.25 | 常用,快速 |
| DMA(动态机械分析) | IPC-TM-650 2.4.24 | 更敏感,反映力学转变 |
| TMA(热机械分析) | IPC-TM-650 2.4.24 | 直接反映Z-CTE突变点 |
| 介电分析(DEA) | - | 与Dk/Df变化点对应 |
三种方法测得的Tg值不一定完全一致,规格书通常标注测量方法。
Tg与Z-CTE的关系
| Tg | Z-CTE(<Tg) | Z-CTE(>Tg) | 倍数 |
|---|---|---|---|
| 130°C | 50 ppm/°C | 250+ ppm/°C | ~5× |
| 150°C | 45 ppm/°C | 200 ppm/°C | ~4.4× |
| 170°C | 40 ppm/°C | 150 ppm/°C | ~3.7× |
| 200°C | 30 ppm/°C | 90 ppm/°C | ~3× |
Tg越高,>Tg区间的Z-CTE膨胀越受控,对HDI板的盲孔可靠性越友好。
在材料选型中的位置
CCL/PP材料选型决策树:
成本预算?
├── 紧 → 标准Tg环氧FR-4
├── 中 → 高Tg环氧FR-4(无铅合规)
└── 高 → 改性树脂([PPO](/wiki/ppo/) / [MPI](/wiki/mpi/) / BT / PI)
└── 同步考虑:[低介电损耗](/wiki/low-dielectric-loss/)(Df)+ [低膨胀](/wiki/low-cte/)(CTE)
高Tg ≠ 高性能:高Tg是耐热门槛,不等于低Df。AI高端CCL需高Tg + 低Df + 低CTE三高并举。
核心关系
关键问答
- Tg 与「- 高Tg树脂」的关系是什么?
- - 高Tg树脂 → 主流选项:[PPO](/wiki/ppo/) / [MPI](/wiki/mpi/) / BT / PI。
- Tg 与「- 高Tg + 低Df」的关系是什么?
- - 高Tg + 低Df → [低介电损耗](/wiki/low-dielectric-loss/) [覆铜板](/wiki/copper-clad-laminate/) → [AI服务器](/wiki/ai-server/) / [18层以上多层板](/wiki/18-layer-multilayer-pcb/)。
- Tg 与「- Tg↑」的关系是什么?
- - Tg↑ → Z-CTE↓ → 通孔/盲孔可靠性↑ → [HDI板](/wiki/hdi-board/) / [封装基板](/wiki/package-substrate/)良率↑。
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