EML
属 光互联 层4 分钟阅读
别名:E、l、e、c、t、r、o、-、A、b、s、p、i、n、 、M、d、u、a、L、,、电吸收调制激光器
电吸收调制激光器,由DFB激光器与电吸收(EA)调制器集成,是单模长距光模块的核心光源。 截至 2026-04,EML 是长距场景最成熟、应用最广的技术。性能稳定。但在1.6T这种极高速度时,它的功耗和成本压力会变大。 EML是当下的中流砥柱,硅光是降本增效的利器,薄膜铌酸锂是未来的性能高峰。
EML(电吸收调制激光器)
电吸收调制激光器,由DFB激光器与电吸收(EA)调制器集成,是单模长距光模块的核心光源。 截至 2026-04,EML 是长距场景最成熟、应用最广的技术。性能稳定。但在1.6T这种极高速度时,它的功耗和成本压力会变大。 EML是当下的中流砥柱,硅光是降本增效的利器,薄膜铌酸锂是未来的性能高峰。
EML的结构与原理
EML结构示意:
┌─────────────────────────────────────┐
│ DFB激光器部分(Direct DFB Laser) │
│ ├── InP衬底 │
│ ├── 多量子阱有源区 │
│ └── 波长:1310nm/1550nm │
├─────────────────────────────────────┤
│ EA调制器部分(Electro-Absorption) │
│ ├── 多量子阱调制器 │
│ ├── 反向偏压控制 │
│ └── 高速调制(25G/50G/100G) │
└─────────────────────────────────────┘
EML = DFB + EA调制器(单片集成)
└── 区别于DFB:DFB直接调制,EML外调制(更高速率)
EML vs VCSEL 对比
| 特性 | EML | VCSEL |
|---|---|---|
| 材料 | InP(磷化铟) | GaAs(砷化镓) |
| 波长 | 1310nm/1550nm(单模) | 850nm(多模) |
| 应用距离 | 500m-10km(单模) | ≤100m(多模) |
| 光纤类型 | SMF(单模光纤) | MMF(多模光纤) |
| 调制方式 | 电吸收外调制(高速率) | 直接调制 |
| 典型应用 | DR8/LR8/FR8(800G单模) | SR8(800G多模) |
| 成本 | 较高(InP工艺) | 较低(GaAs工艺) |
EML在AI数据中心的应用
AI集群叶脊互联(单模长距方案):
┌────────────────────────────────────────┐
│ GPU服务器 → Leaf交换机 → Spine交换机 │
└────────────────────────────────────────┘
↓ ↓
DR8/FR8(EML单模) DR8/LR8(EML单模)
↓ ↓
距离:2km/10km 距离:10km+
800G DR8 光模块(EML方案):
├── 8×100G PAM4 = 800G总速率
├── 波长:1310nm(SMF单模)
├── 距离:≤2km
└── 典型应用:AI集群Leaf-Spine互联
800G LR8 光模块(EML方案):
├── 8×100G PAM4 = 800G总速率
├── 波长:1310nm(SMF单模)
├── 距离:≤10km
└── 典型应用:AI集群间DCI互联
EML产业链关键厂商
EML全球主要供应商:
├── II-VI/Coherent(美国)—— InP光芯片全球领先
├── Lumentum(美国)—— 激光器+调制器
├── 三安光电(中国)—— 国内InP光芯片
├── 仕佳光子(中国)—— PLC芯片扩展
└── 其他:Neo(韩国)、Quantcomm(台湾)
EML vs VCSEL 市场格局:
├── VCSEL:GaAs工艺,厂商相对集中(II-VI、Trumpf等)
└── EML:InP工艺,Coherent/Lumentum双寡头
核心关系
[光芯片](/wiki/optical-chip/) → [EML](/wiki/eml/)(单模长距光模块核心)
[EML](/wiki/eml/) → [有源器件](/wiki/active-component/)(是光芯片,属于有源发射器件)
[EML](/wiki/eml/) → [800G](/wiki/800g/) DR8/LR8(EML主力应用场景)
[EML](/wiki/eml/) → [1.6T](/wiki/1-6t/) DR16/LR16(下一代EML方案)
[EML](/wiki/eml/) → [相干](/wiki/coherent-optics/)(相干光模块的光源)
EML材料体系:InP(磷化铟)
└── 不同于VCSEL的GaAs(砷化镓)材料体系
└── 与DFB同材料体系,但EML集成调制器
EML制造成本:高于VCSEL(InP晶圆较小,6英寸)
关键参数
- 发射波长:1310nm(SMF)/ 1550nm(SMF)
- 调制速率:25G/50G/100G PAM4
- 输出功率:+1~+5dBm
- 消光比:>4dB(EML调制指标)
- 工作温度:-40°C ~ +85°C
- 单模光纤兼容:SMF(1310nm/1550nm)
- 典型应用:DR8(2km)/ LR8(10km)/ FR8(2km)
相关词条
1.6T
1.6Tbps速率的光模块,下一代AI数据中心光互联目标。
光互联别名:1、.
800G
800Gbps速率的光模块,是当前AI数据中心的主流升级目标。
光互联别名:8、0
薄膜铌酸锂
一种新型的光电调制器材料。响应速度极快,损耗极低。如果说EML是高速路,那TFLN是磁悬浮。被认为是1.6T甚至是3.2T时代的最优解,但截至 2026-04,工艺难度大、成本高。
光互联别名:TFLN
调制器
## 基本信息
光互联别名:光调制器
光连接
光模块之间通过光纤实现的物理连接,是光网络的基础设施。
光互联别名:O、p
光零组件
光模块中介于光芯片与成品光模块之间的中间组件,是光器件的核心光学功能单元。
光互联别名:O、p
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**光模块内置的微控制器**,是光模块的"嵌入式大脑"——负责数字诊断(DOM/DDM)、I²C 主机通信、激光器/温度/电压监控、固件存储、CDR 旁路控制、CMIS 协议栈等所有模块管理功能。每一颗可插拔光模块内都有一颗 MCU。
光互联别名:Optical Module MCU、模块MCU
光器件
包含光芯片、驱动电路、外壳的光模块组件,是光连接的基本单元。
光互联别名:O、p