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title: TGV
slug: tgv
date: '2026-08-17'
updated: '2026-08-17'
summary: 在玻璃基板上制作垂直导电通孔的工艺技术，是玻璃基板和玻璃中介层的核心制造工艺，对应硅基的TSV（硅通孔）。
category: 制造
tags:
  - TGV
  - 玻璃通孔
  - 玻璃基板
  - 中介层
  - 先进封装
  - 制造
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  - 璃
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  - TGV
  - Through Glass Via
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batch: 1
faq:
  - question: TGV 与「- **TGV**」的关系是什么？
    answer: '- **TGV** → [玻璃基板](/wiki/glass-substrate/)（核心工艺）。'
  - question: TGV 与「- **TGV**」的关系是什么？
    answer: '- **TGV** → TSV（硅基对应物）。'
  - question: TGV 与「- **TGV**」的关系是什么？
    answer: '- **TGV** → [2.5D封装](/wiki/2-5d-packaging/)（玻璃中介层方案）。'
  - question: TGV 与「- **TGV**」的关系是什么？
    answer: '- **TGV** → [先进封装](/wiki/advanced-packaging/)下一代核心工艺。'
  - question: TGV 与「- **TGV**」的关系是什么？
    answer: '- **TGV** → [硅光技术](/wiki/silicon-photonics-tech/)（光电共封装天然载体）。'
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# TGV（Through-Glass Via，玻璃通孔）

在玻璃基板上制作垂直导电通孔的工艺技术，是[玻璃基板](/wiki/glass-substrate/)和玻璃中介层的核心制造工艺，对应硅基的TSV（硅通孔）。

> [!NOTE]
> **TGV**是TSV的"玻璃版本"，使玻璃从被动载体升级为主动互连载体，是[玻璃基板](/wiki/glass-substrate/)量产的关键工艺瓶颈。

## 工艺原理

```
TGV工艺流程：

1. 玻璃准备
     ↓
2. 玻璃通孔制作
   ├── 激光诱导蚀刻（LIFT, Laser Induced Etching）
   │     └── 飞秒激光 + 氢氟酸（HF）蚀刻
   ├── 喷砂/机械钻孔（小孔径场景）
   └── 电化学放电（EDM）
     ↓
3. 孔壁金属化
   ├── 化学镀（Electroless Plating）种子层
   ├── 电镀Cu填充
   └── 无电镀Ni/Au（表面处理）
     ↓
4. 双面RDL布线
     ↓
5. 玻璃中介层/玻璃基板成品
```

## 工艺对比：TGV vs TSV

| 对比项 | TSV（硅） | TGV（玻璃）|
|--------|------------|-----------|
| 基材 | 硅晶圆 | 玻璃（无碱、低CTE）|
| 孔径 | 5-50μm | 20-200μm |
| 深宽比 | >10:1 | 5-20:1 |
| CTE | 2.6 ppm/K | 3-4 ppm/K |
| 介电性能 | 硅导电（需绝缘层）| 玻璃天然绝缘 |
| 加工速度 | 较慢 | 更快（玻璃易蚀刻）|
| 成本 | 高（晶圆级）| 较低（面板级）|
| 大尺寸 | 受限于12寸晶圆 | 600×600mm+ |
| 主要应用 | HBM、3D封装 | 玻璃中介层、玻璃基板、光电共封装 |

## 核心优势

```
TGV相对TSV的优势：
  ├── 成本：玻璃是面板级加工，硅是晶圆级 → 玻璃单位成本~50%
  ├── 大尺寸：600×600mm+ vs 12寸晶圆
  ├── 天然绝缘：无需沉积绝缘层（vs 硅TSV需要SiO2）
  ├── 低损耗：玻璃Df<0.002，适合高频信号
  ├── 低CTE：与硅die匹配良好
  └── 光电兼容：玻璃透光，可做光路

TGV相对TSV的劣势：
  ├── 孔径较大：精细度不及TSV
  ├── 机械脆性：加工易崩边
  ├── 产业链不成熟：设备/工艺仍在爬坡
  └── 与现有OSAT产线兼容性差
```

## 应用场景

### 1. 玻璃中介层（Glass Interposer）

```
芯片（GPU/HBM）
  └── μbump
        └── 玻璃中介层（含TGV+RDL）
              └── [封装基板](/wiki/package-substrate/)
                    └── [PCB](/wiki/pcb/)

优势：
  ├── 替代硅中介层（CoWoS-S），成本↓
  ├── 大尺寸支持更多HBM堆叠
  └── 与[硅光技术](/wiki/silicon-photonics-tech/)天然兼容（光路可在玻璃内）
```

### 2. 玻璃基板（Glass Substrate）

```
TGV是玻璃基板量产的关键工艺
  → 实现芯片到基板的垂直互连
  → 替代有机[ABF](/wiki/abf/)载板
  → AI大芯片的下一代承载方案
```

### 3. 光电共封装

```
TGV + 玻璃中介层 + 硅光芯片：
  ├── 玻璃透光 → 光信号可在玻璃内波导
  ├── TGV实现电信号垂直互连
  └── 光电共封装（CPO/LPO）天然载体
```

## 产业链格局

```
TGV设备：
  ├── 激光诱导蚀刻：LPKF（德）、乐普科、友嘉
  ├── 化学镀/电镀：Atotech、安美特
  └── 检测：KLA、蔡司

TGV玻璃材料：
  ├── 康宁（Corning，Glass #7740/#EAGLE XG）
  ├── AGC（旭硝子）
  ├── 肖特（Schott，AF32 eco）
  └── 电气硝子（NEG）

TGV加工厂商：
  ├── Absolics（SKC子公司，英特尔供应链）
  ├── Corning（自研）
  ├── 三星电机（SEMCO）
  ├── 韩国Chemtronics、Doosan
  └── 中国：沃格光电、赛微电子（探索中）
```

## 关键挑战

- 高速金属化良率（深孔电镀）
- 玻璃易崩边、裂纹
- 大面板翘曲控制
- 与现有[先进封装](/wiki/advanced-packaging/)产线兼容
- 设备投资大

## 与TSV的产业演进

```
互连技术演进：

PCB通孔 ──→ IC载板微孔 ──→ 硅TSV ──→ 玻璃TGV
（mm级）      （μm级）        （μm级）  （μm级+大尺寸）
  ↓           ↓               ↓        ↓
 传统PCB    [封装基板](/wiki/package-substrate/)   HBM/3D封装  玻璃基板/中介层
                              [HBM](/wiki/hbm/)    下一代
```

## 核心关系

- **TGV** → [玻璃基板](/wiki/glass-substrate/)（核心工艺）
- **TGV** → TSV（硅基对应物）
- **TGV** → [2.5D封装](/wiki/2-5d-packaging/)（玻璃中介层方案）
- **TGV** → [先进封装](/wiki/advanced-packaging/)下一代核心工艺
- **TGV** → [硅光技术](/wiki/silicon-photonics-tech/)（光电共封装天然载体）
- **TGV** → [低介电损耗](/wiki/low-dielectric-loss/)（玻璃Df<0.002）