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title: 磷化铟
slug: indium-phosphide
date: '2026-08-17'
updated: '2026-08-17'
summary: '## 基本信息'
category: 光互联
tags:
  - AI光通信
  - 光芯片材料
  - III-V族半导体
  - 光互联
  - term
aliases:
  - InP
  - 磷化铟
draft: false
batch: 3
faq:
  - question: 磷化铟 与「── 短距（<100m）」的关系是什么？
    answer: '── 短距（<100m） → [VCSEL](/wiki/vcsel/)（GaAs）。'
  - question: 磷化铟 与「── 中距（500m-10km）」的关系是什么？
    answer: '── 中距（500m-10km） → [EML](/wiki/eml/)（InP，磷化铟基底）。'
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# 磷化铟 (InP)

## 基本信息

| 属性 | 值 |
|------|-----|
| 化学式 | InP |
| 类型 | III-V族化合物半导体 |
| 晶格常数 | 5.87 Å |
| 带隙 | 1.35 eV (直接带隙) |
| 折射率 | ~3.1 |

## 在AI光通信中的应用

### 核心应用：EML激光器
磷化铟是[EML](/wiki/eml/)（电吸收调制激光器）的基底材料：
- 1310nm/1550nm长距单模光通信
- 50GHz/70GHz调制带宽
- 224G/448Gbaud PAM4支持

### InP vs GaAs vs SiPh

| 材料 | 典型应用 | 波长 | 优势 | 劣势 |
|------|---------|------|------|------|
| [磷化铟](/wiki/indium-phosphide/) (InP) | EML | 1310/1550nm | 长距高速 | 成本高，CMOS不兼容 |
| [VCSEL](/wiki/vcsel/) (GaAs) | VCSEL | 850nm | 短距低成本 | 短波，高速受限 |
| [SiPh](/wiki/siph/) | 硅光 | 1310/1550nm | CMOS兼容，成本低 | 硅光调制器效率低 |

### AI网络升级路径中的InP
```
AI集群 → 400G/[800G](/wiki/800g/)/[1.6T](/wiki/1-6t/)光模块
  ├── 短距（<100m）→ [VCSEL](/wiki/vcsel/)（GaAs）
  ├── 中距（500m-10km）→ [EML](/wiki/eml/)（InP，磷化铟基底）
  └── 长距（>10km）→ 相干（InP光子集成）

224Gbaud时代 → InP EML需求增长
  └── 磷化铟晶圆供应紧张
```

## 产业链关键厂商

- **IQE** — GaAs/InP外延片
- **Sumitomo** — InP晶圆
- **VPEC** — InP晶圆
- **贰陆** — Lumentum/InP外延

## 相关条目

- [EML](/wiki/eml/) — 电吸收调制激光器，InP核心应用
- [光芯片](/wiki/optical-chip/) — InP归属类别
- [VCSEL](/wiki/vcsel/) — GaAs对比材料
- [SiPh](/wiki/siph/) — 硅光对比技术