---
title: HBM
slug: hbm
date: '2026-08-17'
updated: '2026-08-17'
summary: 高带宽内存，与DRAM不同，是一种堆叠封装的3D DRAM。
category: 芯片器件
tags:
  - HBM
  - 高带宽内存
  - GPU内存
  - AI内存
  - 芯片器件
  - term
aliases:
  - H
  - i
  - g
  - h
  - ' '
  - B
  - a
  - 'n'
  - d
  - w
  - t
  - M
  - e
  - m
  - o
  - r
  - 'y'
  - High Bandwidth Memory
  - 高带宽内存
draft: false
batch: 2
faq: []
---

# HBM（High Bandwidth Memory）

高带宽内存，与[DRAM](/wiki/dram/)不同，是一种堆叠封装的3D DRAM。

## 与DRAM的区别

| 对比项 | [DDR4](/wiki/ddr4/)/DDR5 | HBM |
|--------|--------------|-----|
| 位置 | 独立内存条 | 与GPU封装在一起 |
| 位宽 | 64-bit | 8192-bit |
| 带宽 | 100GB/s级 | 1-2TB/s |
| 延迟 | 低 | 较高 |
| 成本 | 低 | 高 |
| 用途 | CPU内存 | GPU/AI芯片内存 |

## AI产业刚需性

**算力瓶颈在内存带宽**，HBM是AI GPU的标配：

- NVIDIA H100：80GB HBM3，带宽3.35TB/s
- AMD MI300X：192GB HBM3，带宽5.2TB/s

## 封装结构

```
GPU芯片
  └── HBM堆叠（4-12层）
        └── 硅中介层（Silicon Interposer）
              └── [封装基板](/wiki/package-substrate/)
```

## 关键制造者

- **SK海力士**（HBM3主要供应商）
- **三星**（HBM3竞争者）
- **美光**（HBM3e）

## 代际演进

| 代次 | 带宽 | 容量 | 量产 | 主要客户 |
|------|------|------|------|----------|
| HBM2 | 0.4–0.45 TB/s | 4–8 GB | 2018 | V100 |
| HBM2e | 0.45–0.55 TB/s | 8–16 GB | 2019 | A100 |
| HBM3 | 0.8–1.0 TB/s | 16–24 GB | 2022 | H100 |
| HBM3e | 1.0–1.2 TB/s | 24–36 GB | 2024 | H200 / B100 / MI300X |
| HBM4 | 1.5+ TB/s | 48–64 GB | 2026– | B200 / Rubin |

## 与 GDDR / DDR 的本质区别

HBM 通过 **TSV（硅通孔）+ 微凸点** 把 4–12 层 DRAM die 堆叠在 GPU 旁边的硅中介层上，本质是"3D DRAM + 2.5D 先进封装"的合体。位宽 1024–8192 bit，是 DDR 的 16–128 倍。

## 良率与产能瓶颈

- 单颗 HBM 容量 > 24 GB，需要 8 层以上 DRAM die 良率全部 OK，整颗良率远低于 DRAM 单颗
- SK 海力士 HBM3e 良率领先，三星追赶
- 先进封装（CoWoS / SoIC）产能同步吃紧

## 核心关系

```
[DRAM](/wiki/dram/)（HBM本质是DRAM的3D封装）
  └── HBM
        └── GPU/AI芯片
              └── [Chiplet](/wiki/chiplet/)封装
                    └── [封装基板](/wiki/package-substrate/)
```